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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
46
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
2660
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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