RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
2696
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link