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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,343.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
5,135.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,343.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
843
2234
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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