RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
28
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2771
2648
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link