RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparar
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
3473
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link