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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparar
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
2347
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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