RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2353
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link