RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
56
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
3680
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link