RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
3568
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link