RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
56
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
49
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2413
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link