RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
66
Por volta de -136% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2932
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link