RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
66
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2847
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link