RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
66
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2677
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link