RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
66
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3648
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link