RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
66
Por volta de -187% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
4001
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link