RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
103
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
103
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1520
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link