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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
66
Por volta de -144% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2687
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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