RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
66
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3297
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link