RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3311
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link