RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
66
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2910
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link