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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3167
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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