RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
95
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
95
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1518
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link