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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
66
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
62
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1808
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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