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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
66
Por volta de -267% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3564
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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