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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3137
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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