RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3404
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link