RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
16.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3706
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link