RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2758
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link