RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3208
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Vasekey 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link