RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3742
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link