Comparação RAM A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 14.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,061.2 10.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 46

Por volta de -70% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

759 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns