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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2271
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
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