RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2768
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link