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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
46
Por volta de -21% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3147
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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