RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2767
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link