RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2562
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link