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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3372
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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