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AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
AMD AE34G2139U2 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
56
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
37
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1462
1949
AMD AE34G2139U2 4GB Comparações de RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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