RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparar
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
AMD AE34G2139U2 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G2139U2 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
56
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1462
1732
AMD AE34G2139U2 4GB Comparações de RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link