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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3648
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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