RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
35
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2068
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link