RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
73
Por volta de -232% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
22
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3515
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link