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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
73
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
5.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
31
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
no data
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3043
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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