RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
73
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
51
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2248
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link