RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
35
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2654
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link