RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
73
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
60
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2511
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link