RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
3495
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link