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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
75
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
75
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
1548
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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