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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2780
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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