RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
3086
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link